Z28E24M160NNB是標準1/8磚單路隔離穩(wěn)壓輸出模塊，額定輸出電壓24V，輸出電流6.7A。峰值效率可達94%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。 采用領先預偏值啟動同步整流技術提高了電源效率和同步整流的可靠性； 采用有源鉗位吸收技術降低了功率MOS管的電壓應力，提高功率MOS管的可靠性； 采用無光耦的電壓反饋環(huán)提高了環(huán)路的響應速度與穩(wěn)定性； 采用主從模塊民主均流法，使能模塊能共享電流信號完成自動均流并聯應用，可應用于高可靠性的冗余備份系統。 采用多層厚銅PCB與平面變壓器工藝提高了電源的功率密度； 采用鋁外殼灌封工藝提高了電源的抗振動沖擊，耐鹽霧，耐高溫能力。
Z28E12M160NNB是標準1/8磚單路隔離穩(wěn)壓輸出模塊，額定輸出電壓12V，輸出電流13.3A。峰值效率可達94%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。 采用領先預偏值啟動同步整流技術提高了電源效率和同步整流的可靠性； 采用有源鉗位吸收技術降低了功率MOS管的電壓應力，提高功率MOS管的可靠性； 采用無光耦的電壓反饋環(huán)提高了環(huán)路的響應速度與穩(wěn)定性； 采用主從模塊民主均流法，使能模塊能共享電流信號完成自動均流并聯應用，可應用于高可靠性的冗余備份系統。 采用多層厚銅PCB與平面變壓器工藝提高了電源的功率密度； 采用鋁外殼灌封工藝提高了電源的抗振動沖擊，耐鹽霧，耐高溫能力。
Z28E28M160NNB 是標準 1/8 磚單路隔離穩(wěn)壓輸出模塊，額定輸出電壓 28V，輸出電流 5.7A。峰值效率可達 94%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。 采用領先預偏值啟動同步整流技術提高了電源效率和同步整流的可靠性； 采用有源鉗位吸收技術降低了功率 MOS 管的電壓應力，提高功率 MOS 管的可靠性； 采用無光耦的電壓反饋環(huán)提高了環(huán)路的響應速度與穩(wěn)定性； 采用主從模塊民主均流法，使能模塊能共享電流信號完成自動均流并聯應用，可應用于高可靠性的冗余備份系統。 采用多層厚銅 PCB 與平面變壓器工藝提高了電源的功率密度； 采用鋁外殼灌封工藝提高了電源的抗振動沖擊，耐鹽霧，耐高溫能力。
